原理简述如下：激励电流 I 从 a 、 b 端流入，磁场 B 由正上方作用于薄片，这时电子 e 的运动方向与电流方向相反，将受到洛仑兹力 FL 的作用，向内侧偏移，该侧形成电子的堆积，从而在薄片的 c 、 d 方向产生电场 E 。电子积累得越多， FE 也越大，在半导体薄片 c 、 d 方向的端面之间建立的电动势 EH 就是霍尔电势。
由实验可知，流入激励电流端的电流 I 越大、作用在薄片上的磁场强度 B 越强，霍尔电势也就越高。磁场方向相反，霍尔电势的方向也随之改变，因此霍尔传感器能用于测量静态磁场或交变磁场。
单位磁荷(正磁荷N)在磁场中受1 Dyne力，磁场强度为1 GAUSS(c,g,s 单位)。
磁感应强度
在磁场中，垂直于磁场方向的通电导线会受到磁场力的作用，其力F的大小与电流强度I和导线的长度L的乘积成正比，其比值叫导线所在处的，用B表示。
B = F/(I*L)
B的方向与磁场方向相同，即小磁极N板所受力的方向。
B的单位：Tesla。
1T = 1N/(A*m)
一般永久磁针 B=0.4-0.7 T
交流电变压器铁芯 B = 0.8-1.7T
超导体 1000T
地球表面 0.5×10-4 T
扬声器外漏磁场 0.4～2×10-4 T
大型扬声器磁隙 0.8～1.3T
微型扬声器磁隙 0.2 ～0.8T
磁感应强度的单位，在早年的电磁单位制(CGSVW)中是高斯(Gs)，在以后的国际单位制中是特斯拉(T)或毫特(mT)，特斯拉与高斯之间的换算关系为：
１Ｔ＝１０^４Ｇｓ